| 申请日期 | 2025-07-13 | 申请号 | CN200910048823.0 |
| 公开（公告）号 | CN101533669A | 公开（公告）日 | 2009-09-16 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | ||
| 简介 | 本发明涉及在同一种存储结构中实现和调控多种电阻转变方式的方法， 包括单/双极性电阻转变和两种方向的双极性电阻转变，所述的电阻转变方式 均可用于电阻式随机存储器。本发明中的存储结构为多层薄膜结构，包括顶 电极、阻变层和底电极。顶电极为活泼金属，阻变层为稀土锰氧化物薄膜， 底电极为贵金属或氧化物导电薄膜。通过控制活泼金属顶电极的厚度和施加 特殊的电压扫描或脉冲过程实现了单/双电阻转变效应以及双极性电阻转变 效应的极性翻转。在同一种存储结构中实现多种电阻转变方式的调控，可发 挥多种电阻转变方式的优势，如单极性电阻转变的高转变率，双极性电阻转 变的快速度。因此可在同一存储阵列中满足不同的存储要求，有利于其实际 应用。 | ||
|
您还没有登录，请登录后查看下载地址
|
客服热线：
手机版
二维码
