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离子导体 发明授权

2023-10-26 2440 1217K 0

专利信息

申请日期 2025-06-28 申请号 CN200680008526.8
公开(公告)号 CN100537470C 公开(公告)日 2009-09-09
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 松下电器产业株式会社
简介 本发明提供了一种材料,其以高离子传导率传导质子或氧化物离子 并且耐湿性和耐还原性优异,其中将式(1)代表的钙钛矿氧化物用作 离子导体: BaZraCebM1cL1dO3-α…(1) (其中M1是选自稀土元素,In、Mn、Fe、Co、Ni、Al和Ga中的至少 一种元素,L1是选自P、B和N中的至少一种元素,a、b、c、d和α满 足:0≤a<1.2,0<b<1.2,0<c<1.2,0.9<a+b+c<1.2,0<d<0.1和0<α<3)。


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