| 申请日期 | 2026-04-25 | 申请号 | CN200810073890.3 |
| 公开（公告）号 | CN101521074A | 公开（公告）日 | 2009-09-02 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 广西大学 | ||
| 简介 | 一种制备稀土掺杂Sn-Te基高致密度块体稀磁半导体材料的方法，采用的原料组分及用 量(重量份)为：稀土元素1～10，金属Sn 40～47，金属Te 50～52，按所述原料组分及 用量制备所述稀磁半导体材料的方法是：依据稀土-Sn-Te三元合金相图，计算出要制备的稀 磁半导体材料的原料配比，然后将所述原料混合均匀；将混匀料真空封装进石英管中，放进 高温箱式电阻炉中于500～600℃保温1～3个小时，再用高频炉熔炼，然后把熔炼好的材料 研磨成粉末，经高温烧结即得高致密块体稀磁半导体材料。采用本发明制备得的稀磁半导体 材料晶粒均匀、纯度高，可用于制作各种功能材料以及功能薄膜的靶材，便于工业化生产。 | ||
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