| 申请日期 | 2025-06-27 | 申请号 | CN200910008226.5 |
| 公开（公告）号 | CN101515600A | 公开（公告）日 | 2009-08-26 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | ||
| 简介 | 提供一种非易失性存储元件及其制造方法。该非易失性存储元件 包括：半导体区；相互隔开地设置在所述半导体区中的源区和漏区； 设置在源区与漏区之间的半导体区上的隧道绝缘膜；设置在所述隧道 绝缘膜上的电荷存储层；设置在所述电荷存储层上的阻挡绝缘膜；以 及设置在所述阻挡绝缘膜上的控制栅电极。所述电荷存储层包括含有 从包括Hf、Al、Zr、Ti和稀土金属的组中选择的至少一种材料、并且 被全部或者部分地晶化的氧化物、氮化物或氧氮化物。所述阻挡绝缘 膜包括含有至少一种稀土金属的氧化物、氧氮化物、硅酸盐或铝酸盐。 | ||
|
您还没有登录，请登录后查看下载地址
|
客服热线：
手机版
二维码
