| 申请日期 | 2025-06-26 | 申请号 | CN200780035937.0 |
| 公开（公告）号 | CN101516802A | 公开（公告）日 | 2009-08-26 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 株式会社村田制作所 | ||
| 简介 | 本发明提供一种钛酸钡系半导体瓷组合物，其是居里温度高、室温下 的电阻率低、呈现需要的电阻变化率的钛酸钡系半导体瓷组合物，还提供 一种PTC元件。本发明的钛酸钡系半导体瓷组合物是至少含有钡和钛的 钙钛矿结构的钛酸钡系半导体瓷组合物，钡的一部分至少被碱金属元素、 铋及稀土元素置换，在将钛的含量设为100摩尔份时，作为碱金属元素、 铋及稀土元素的以摩尔份表示的各含量的关系的(碱金属元素的含量) /{(铋的含量)+(稀土元素的含量)}的比率为1.00以上、1.06以下。 PTC热敏电阻(1)具备由具有所述特征的钛酸钡系半导体瓷组合物构成 的陶瓷坯料(20)和在其两侧面形成的电极(11，12)。 | ||
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