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氧化钇材料、半导体制造装置用部件及氧化钇材料的制造方法 发明申请

2023-03-17 3090 855K 0

专利信息

申请日期 2025-07-28 申请号 CN200910007179.2
公开(公告)号 CN101508567A 公开(公告)日 2009-08-19
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 日本碍子株式会社
简介 本发明提供一种氧化钇材料及其制造方法,能够进一步提高氧化钇材料的 机械性强度。作为半导体制造装置用部件的静电卡盘(20)的基体(22)是由氧化 钇材料构成,该氧化钇材料至少包括:氧化钇(Y2O3)、碳化硅(SiC)、以及 含有RE(稀土类元素)、Si、O和N的化合物。该氧化钇材料含有以RE为 La、Y等的RE8Si4N4O14作为含RE(稀土类元素)、Si、O和N的化合物。该 RE8Si4N4O14是由作为原料的主成分的Y2O3和作为原料添加的Si3N4等在烧结 过程中生成的化合物。通过氧化钇中含有的SiC及该化合物来提高机械性强度 和体积电阻率。


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