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SILICON NITRIDE ANTI-WEAR MEMBER AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME 发明授权

2023-02-21 4350 563K 0

专利信息

申请日期 2025-06-29 申请号 EP03715733
公开(公告)号 EP1491518B1 公开(公告)日 2009-08-12
公开国别 EP 申请人省市代码 全国
申请人 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
简介 The silicon nitride antiwear unit (2) comprises ceramic sintered compact consisting of 55-75 mass% of silicon nitride, 12-28 mass% of silicon carbide, 3-15 mass% of silicide and 5-15 mass% of grain boundary phase of rare earth element silicon-aluminum oxynitride. The antiwear unit exhibits electrical resistance of 10 7>-10 4> omega centimeter, a porosity of 1% or less and 3-point bending strength of 900 MPa or more. An independent claim is also included for silicon nitride antiwear unit manufacturing method.


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