| 申请日期 | 2025-07-07 | 申请号 | CN200710052646.4 |
| 公开（公告）号 | CN100524863C | 公开（公告）日 | 2009-08-05 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 武汉大学 | ||
| 简介 | 本发明公开了一种电致发光二极管的制备方法，先在衬底上生长GaN缓冲 层，然后生长掺有Eu、Er、Tm三种稀土元素的GaN薄膜，最后用掺锡氧化铟 制作透明电极后形成电致发光二极管。该电致发光二极管在施加一定的驱动电压 时，从反向偏压电极处可直接发出白光，克服传统发光二极管发光波长单一的缺 点。 | ||
|
您还没有登录，请登录后查看下载地址
|
客服热线：
手机版
二维码
