| 申请日期 | 2025-06-25 | 申请号 | CN200710022256.2 |
| 公开（公告）号 | CN100510203C | 公开（公告）日 | 2009-07-08 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 中国科学院安徽光学精密机械研究所 | ||
| 简介 | 本发明涉及钽酸盐的提拉法晶体生长方法，所生长的化合物的分子式可表示 为RE1-xDxTa1-yNbyO4，RE＝Lu、Gd、Y，D＝Bi、Ce、Eu、Tb，x、y＝0～1。 所用原料Ta2O5、Nb2O5、Lu2O3、Gd2O3、Y2O3、Bi2O3、Eu2O3、Tb4O7、CeO2 可用相应的钽、铌、镥、钆、铌、钇、铋、铕、铽的其他化合物来进行配制，只 要通过化合反应能最终形成RE1-xDxTa1-yNbyO4化合物即可；配好的原料进行充 分混合后，用模具压制成形(通常为圆盘形状)，在750～1300℃下烧结10～24 小时，成为RE1-xDxTa1-yNbyO4晶体生长的初始原料，或者压制成形的原料不经 烧结而直接成为晶体生长的初始原料。本发明在大量的晶体生长实验基础上，获 得了Nb5+、Bi3+、Tb3+或Eu3+掺杂的稀土钽酸盐RETaO4及其纯基质单晶的提拉 法生长方法，可获得10mm以上的大尺寸单晶，可用于现代高能物理、核医学 等领域。 | ||
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