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碳化硅单晶的制造方法 发明申请

2023-02-04 4560 541K 0

专利信息

申请日期 2025-07-12 申请号 CN200780011156.8
公开(公告)号 CN101473074A 公开(公告)日 2009-07-01
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 丰田自动车株式会社
简介 用硅原料填充石墨坩埚(10),加热石墨坩埚(10)以形成熔融硅 (M),将至少一种稀土元素以及选自Sn、Al和Ge中的至少一种加入 熔融硅(M),并在熔融硅中保持从熔融硅内部向熔融硅表面(S)降温 的温度梯度,同时从置于紧靠所述熔融液体的表面下方的碳化硅晶种 (14)开始生长碳化硅单晶。


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