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R-T-B系烧结磁体 发明授权

2023-04-30 3080 1219K 0

专利信息

申请日期 2025-06-24 申请号 CN200680003392.0
公开(公告)号 CN100501884C 公开(公告)日 2009-06-17
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 TDK株式会社
简介 本发明提供一种兼备高的剩磁通密度及高的顽磁力的R-T-B系烧 结磁体。该R-T-B系烧结磁体为:包含具有包括内壳部(2)和包围 内壳部(2)的外壳部(3)的芯-壳结构的主相晶粒(1);内壳部(2) 中的重稀土类元素的浓度比外壳部(3)周边的重稀土类元素的浓度低 10%以上;在具有内壳部(2)及外壳部(3)的主相晶粒(1)中,(L /r)ave在0.03~0.40的范围内。其中,L:从主相晶粒(1)的周边到 内壳部(2)的最短距离,r:主相晶粒(1)的当量圆直径,(L/r)ave: 该烧结体中存在的具有芯-壳结构的主相晶粒(1)的L/r的平均值。


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