| 申请日期 | 2025-07-09 | 申请号 | CN200810204594.2 |
| 公开（公告）号 | CN101456122A | 公开（公告）日 | 2009-06-17 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 同济大学 | ||
| 简介 | 本发明公开了一种高导电率铝高硅铝基合金及其制备方法，其制备包括如下步骤：a. 用纯Al、Si、M合金熔炼得到预制合金Al-aSi-bM，其中，M为稀土、Nb、Fe、Cu、Zr、 Ti、V、Cr中的一种或几种，5≤a≤60，0.1≤b≤10；b.将得到的预制合金Al-aSi-bM放 入真空感应熔炼炉中熔炼，熔炼完毕，再用氮-氩混合气体保护将熔融态Al-aSi-bM母合金 喷射成型；c.将喷射成型态Al-aSi-bM合金放入热挤压机中挤压成型；d.对热挤压后得 到的Al-aSi-bM合金进行多道次冷轧。采用本发明中的工艺方法，在获得优良高导电率性 能的高硅铝基合金的同时，大大简化工艺，降低成本，有利于批量化生产和应用的推广。 | ||
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