| 申请日期 | 2025-06-25 | 申请号 | CN200810204595.7 |
| 公开（公告）号 | CN101457311A | 公开（公告）日 | 2009-06-17 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 同济大学 | ||
| 简介 | 本发明公开了一种高硅铝基合金及其制备方法，其制备包括如下步骤：a.用纯Al、Si、 M合金熔炼得到预制合金Al-aSi-bM，其中，M选自稀土、Nb、Fe、Cu、Zr、Ti、V或Cr， 5≤a≤60，0.1≤b≤10；b.将得到的预制合金Al-aSi-bM放入真空感应熔炼炉中，熔炼完 毕，再用氮-氩混合气体保护将熔融铝合金雾化成金属粉末；c.将得到的金属粉末放入球磨 机，采用氩气保护进行球磨；d.步骤c得到的粉末中掺加粘结剂；e.粉末放入热挤压机中 挤压成型；f.步骤e得到的合金进行多道次冷轧。采用本发明中的工艺方法，在获得优良 高导电率性能的高硅铝基合金的同时，大大简化工艺，降低成本，有利于批量化生产和应 用的推广。 | ||
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