| 申请日期 | 2025-06-27 | 申请号 | CN200680008726.3 |
| 公开（公告）号 | CN101163814A | 公开（公告）日 | 2008-04-16 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 株式会社爱发科 | ||
| 简介 | 在有效利用作为成膜材料的Dy、Tb的同时，通过在具有规定形状的铁－硼－稀土系的磁铁表面高速成膜来提高生产率，能以低成本制造出永磁铁。通过在具有规定形状的铁－硼－稀土系磁铁表面上形成Dy膜的成膜工序以及通过在规定温度下实施热处理，使在表面上成膜的Dy扩散到磁铁的晶界相的扩散工序制造永磁铁。在上述情况下，成膜工序由加热实施该成膜工序的处理室，使预先配置在该处理室内的Dy蒸发，在处理室内形成具有规定的蒸汽压的Dy蒸汽气氛的第1工序，以及将保持在低于处理室内的温度上的磁铁送入处理室，在该磁铁达到规定温度之前，利用处理室内和磁铁之间的温差，使Dy选择性地附着沉积到磁铁表面的第2工序构成。 | ||
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