| 申请日期 | 2025-07-06 | 申请号 | TW096110730 |
| 公开（公告）号 | TW200818263A | 公开（公告）日 | 2008-04-16 |
| 公开国别 | TW | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 东京威力科创股份有限公司 | ||
| 简介 | 本发明提供一种半导体装置, 例如一电晶体或电容。该装置包含 : 一基板; 一闸极介电层, 位於该基板之上; 及, 一导电性闸电极薄膜, 位於该闸极介电层之上。该闸极介电层, 包含一混合稀土铝氧化物薄膜、混合稀土铝氮化物薄膜或混合稀土铝氧氮化物薄膜, 此薄膜含有铝及至少2种不同的稀土金属元素。 | ||
|
您还没有登录，请登录后查看下载地址
|
客服热线：
手机版
二维码
