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离子导体 发明申请

2023-03-22 4940 1134K 0

专利信息

申请日期 2025-07-08 申请号 CN200680008526.8
公开(公告)号 CN101142150A 公开(公告)日 2008-03-12
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 松下电器产业株式会社
简介 本发明提供了一种材料,其以高离子传导率传导质子或氧化物离子并且耐湿性和耐还原性优异,其中将式(1)代表的钙钛矿氧化物用作离子导体:BaZraCebM1cL1dO3-α…(1) (其中M1是选自稀土元素,In、Mn、Fe、Co、Ni、Al和Ga中的至少一种元素,L1是选自P、B和N中的至少一种元素,a、b、c、d和α满足:0≤a<1.2,0<b<1.2,0<c<1.2,0.9<a+b+c<1.2,0<d<0.1和0<α<3)。


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