| 申请日期 | 2025-08-28 | 申请号 | CN03821131.9 |
| 公开（公告）号 | CN100370587C | 公开（公告）日 | 2008-02-20 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 旭硝子株式会社; 清美化学股份有限公司 | ||
| 简介 | 为了对应用于半导体集成电路的、由具有C-Si键及Si-O键的有机硅材料形成的绝缘膜的表面进行研磨，采用包含水以及选自稀土类氢氧化物、稀土类氟化物、稀土类氟氧化物、氧化铈以外的稀土类氧化物及它们的复合化合物的1种或1种以上的特定稀土类化合物的粒子的研磨剂组合物或其中还含有氧化铈粒子的研磨剂组合物。这样可形成无或较少产生裂缝、擦痕及膜剥离等缺陷的高品质的研磨表面。 | ||
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