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利用微下拉法快速生长稀土晶体光纤的方法 发明申请

2023-06-30 1180 1142K 0

专利信息

申请日期 2025-06-24 申请号 CN201810966520.6
公开(公告)号 CN109326333A 公开(公告)日 2019-02-12
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 中国科学院长春应用化学研究所
简介 本发明提供了微下拉法中稀土晶体光纤生长速率的计算方法,包括以下步骤,首先依据结晶生长的化学键合理论,确定稀土晶体的热力学生长形态;然后基于上述步骤得到的稀土晶体的热力学生长形态,确定与轴向生长方向相对应的径向生长方向,及生长界面处的各向异性化学键合结构;再基于上述步骤得到的生长界面处的各向异性化学键合结构,参照式(I),计算稀土晶体沿轴向的各向化学键合能量密度和沿径向的各向化学键合能量密度;最后基于上述步骤得到的稀土晶体沿轴向和径向的各向化学键合能量密度,计算得到稀土晶体光纤的生长速率,如式(II)所示。


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