| 申请日期 | 2025-06-24 | 申请号 | CN01816046.8 |
| 公开（公告）号 | CN100369143C | 公开（公告）日 | 2008-02-13 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | ||
| 简介 | 本发明涉及一种磁光记录介质及其再现方法，所述磁光记录介质能够抵抗交扰和实现能够进行小节距应用的高密度记录。磁光记录介质包括一种磁性4层结构，一个掩模层、一个再现层、一个中间层及一个记录层，其特征在于，再现层和记录层在室温下具有在层叠方向上延伸的易磁化轴，掩模层和中间层每个在室温下具有在平面内方向上延伸的一个易磁化轴，当掩模层、再现层、中间层及记录层的居里温度分别是Tc1、Tc2、Tc3及Tc4，满足关系Tc3＜Tc2、Tc3＜Tc4及Tc3＜Tc1，并且中间层是一个稀土为主的磁性层。 | ||
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