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单晶硅片表面磷酸基硅烷-稀土纳米薄膜的制备方法 发明授权

2022-12-27 3450 458K 0

专利信息

申请日期 2025-07-16 申请号 CN200610024980.4
公开(公告)号 CN100366349C 公开(公告)日 2008-02-06
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 上海交通大学
简介 本发明涉及一种单晶硅片表面磷酸基硅烷-稀土纳米薄膜的制备方法,首先将单晶硅片浸泡在王水中,经加热、自然冷却处理后取出,用去离子水反复冲洗后干燥,再浸入配制好的氨基硅烷溶液中,在基片表面组装氨基硅烷薄膜,然后再置入含有三氯氧化磷和2,3,5-三甲基吡啶的氰化甲烷溶液中,在薄膜表面组装上磷酸基团,最后将表面附有磷酸基硅烷薄膜的基片置入由乙醇、稀土化合物,乙二胺四乙酸,氯化铵,尿素及浓盐酸配制的稀土自组装溶液中,获得磷酸基硅烷-稀土自组装纳米薄膜。本发明工艺简单,成本低,对环境无污染,制得的稀土纳米薄膜分布均匀,成膜致密,且具有十分明显的减摩作用,具有良好的抗磨损和抗粘着性能。


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