| 申请日期 | 2025-07-05 | 申请号 | CN200510046967.4 |
| 公开（公告）号 | CN100362420C | 公开（公告）日 | 2008-01-16 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 大连理工大学 | ||
| 简介 | 本发明属于光通信技术中有源光放大器件领域，具体涉及到一种利用激光退火对掺铒/铒镱共掺氧化铝薄膜进行晶化的方法。其特征是利用低功率CO2激光器对等离子体溅射方法制备掺铒/铒、镱共掺氧化铝薄膜进行照射，退火效果通过调节激光器工作功率和样品台位置与照射时间控制。本发明的效果和益处是利用CO2激光束照射在掺铒/铒、镱共掺氧化铝薄膜，在很短的时间内在薄膜表面产生高温，提高氧化铝材料的晶化程度，从而可以大幅度地提高氧化铝中铒的荧光谱强度。 | ||
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