| 申请日期 | 2026-03-23 | 申请号 | CN200710141164.6 |
| 公开（公告）号 | CN101106074A | 公开（公告）日 | 2008-01-16 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 泰格尔公司 | ||
| 简介 | 一种等离子腐蚀反应器(20)包括反应室(22)，反应室具有接地上电极(24)、固定到高频电源(30)和低频电源(32)的下电极(28)、位于上下电极之间且可以具有浮置电位的外围电极(26)。稀土磁体(46，47)用于建立磁场，用于限制反应室(22)内产生的等离子体。等离子腐蚀反应器(20)能够腐蚀用于高密度半导体器件的新出现的膜。 | ||
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