| 申请日期 | 2025-06-27 | 申请号 | CN200610028945.X |
| 公开（公告）号 | CN101106088A | 公开（公告）日 | 2008-01-16 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | ||
| 简介 | 本发明公开了一种低等离子体诱生损伤的硅化物制备方法，采用氦、氖以及它们与氩气的组合作为工作气体，物理气相沉积法淀积钴、镍和稀土金属薄膜，然后按照自对准硅化物工艺制备金属硅化物。本发明可以降低现有半导体硅化物制作过程中常见的等离子体损伤，同时兼容现有的工艺，操作简单。 | ||
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