| 申请日期 | 2026-04-27 | 申请号 | TW096123432 |
| 公开（公告）号 | TW200805693A | 公开（公告）日 | 2008-01-16 |
| 公开国别 | TW | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 斯密特科技系统有限公司 | ||
| 简介 | 为了提高太阳能电池的能量效率, 将矽材料使用一种或者若干种不同的稀土元素进行掺杂, 使其渗入层深度大致为600nm。因此通过对稀土元素未配对的4f-电子进行激发和重组, 使得每一个其能量至少为矽元素频带缺口(1.2eV)两倍的光子, 转化成两个或者更多的、其能量位於矽元素的频带缺口的光子。因此可以形成额外的、能量接近矽频带缺口的光子, 其可用於构成电子空穴对。 | ||
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