| 申请日期 | 2025-06-27 | 申请号 | CN200310107830.6 |
| 公开（公告）号 | CN100354389C | 公开（公告）日 | 2007-12-12 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | ||
| 简介 | 本发明公开了铝酸钆基发光薄膜材料芯片及其制备方法。所制备的薄膜材料芯片化学通式为：Gd1-xAlyOz : Rex，y值范围为0～5/3(从纯氧化钆相Gd2O3到石榴石铝酸钆相Gd3Al5O12的所有配比铝酸钆晶相)，Re为稀土元素(Eu、Pr、Ce)，Re的掺杂克分子量范围在0～25％。0≤x≤0.25，0≤y≤5/3，3/2≤z≤12/3。本发明的主要特征为：芯片制备中采用离子束溅射顺序沉积芯片组元、沉积过程中使用组合材料芯片技术中的旋转掩膜和连续移动掩膜技术控制化学组元的沉积种类和沉积量、芯片热处理采用低温扩散和高温晶化两步热处理方法。所获得的阵列样品分别具有在紫外光(254nm)激发下发射红光的特征。 | ||
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