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银合金靶材、薄膜及其制备方法 发明申请

2023-01-01 3570 1206K 0

专利信息

申请日期 2025-06-25 申请号 CN201811240415.0
公开(公告)号 CN109306414A 公开(公告)日 2019-02-05
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 吉晟光电(深圳)有限公司
简介 本发明提供银合金靶材、薄膜及其制备方法,该银合金靶材构成为AgxInyMzQn, 其中铟的比例为8%≤y≤40%(原子比),M为锡、金、铂、钯、铌、铑、钌中的至少一种元素,0≤z≤8%(原子比),Q为稀土元素中的至少一种元素,0≤n≤3%(原子比), 且银的含量x≥60%(原子比)。该银合金靶材可由磁控溅射镀,离子溅射镀、真空蒸镀或电子束蒸发制得具有优良耐热性、附着力、导电性、耐腐蚀性及抗硫化性的银合金薄膜,适用于反射电极膜、液晶显示器、光记录介质、有机发光二极管及电致变色等领域。


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