| 申请日期 | 2025-06-26 | 申请号 | CN200510021654.3 |
| 公开（公告）号 | CN100414276C | 公开（公告）日 | 2008-08-27 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 电子科技大学 | ||
| 简介 | 单元热释电红外探测器件及其制备方法，属于材料与元器件技术领域。器件包括上下电极和BST陶瓷半导体(5)和包裹在其外面的BST陶瓷氧化层介质(6)；BST陶瓷半导体(5)由掺有1～5wt％稀土杂质的(Ba0.7Sr0.3)TiO3基瓷料经高温烧结和还原热处理制得，其厚度＜0.20mm，电阻率小于10Ω·cm；BST陶瓷氧化层介质(6)由BST陶瓷半导体(5)经表面氧化制得，其厚度控制在5～10um。器件的制备方法至少包括以下顺序步骤：瓷料制备、瓷胚制作、高温烧结、还原气氛热处理、表面氧化和电极制作。本发明有利提高热释电红外探测器件的热释电系数，从而提高热释电红外探测器灵敏度；通过瓷体半导化层和表面绝缘层厚度的适当选择，既可保证探测器的强度又可保证探测器的性能；制备方法简单易控。 | ||
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