| 申请日期 | 2025-06-26 | 申请号 | CN200810035084.7 |
| 公开（公告）号 | CN101246770A | 公开（公告）日 | 2008-08-20 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 华东师范大学 | ||
| 简介 | 一种高电位梯度ZnO厚膜压敏电阻的制备方法，属于压敏电阻材料制造的技术领域。该方法用丝网印刷工艺在Al2O3陶瓷片基底上依次沉积膜状物：底电极、ZnO压敏电阻体和顶电极，再将电极引出线粘制在底、顶电极的端面上，其特征在于，制作ZnO压敏电阻体的浆料内含有稀土金属氧化物Y2O3；ZnO压敏电阻体采用厚膜结构，用分步多次丝网印刷使多层薄膜叠成厚膜。有工艺简单，易于操作，烧结温度低，设备要求低，制备成本低，能制备高性能的ZnO厚膜压敏电阻的优点。 | ||
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