| 申请日期 | 2025-06-28 | 申请号 | TW096145836 |
| 公开（公告）号 | TW200834620A | 公开（公告）日 | 2008-08-16 |
| 公开国别 | TW | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 京瓷股份有限公司 | ||
| 简介 | 本发明所提供的积层陶瓷电容器, 系能抑制在高温负荷试验中随时间变化所造成的绝缘电阻降低, 且即使在制造步骤中未设置再氧化处理的步骤, 仍可具有高绝缘性。本发明的积层陶瓷电容器系将由介电质陶瓷构成的介电质层、与内部电极层交错积层形成, 其中, 构成上述介电质陶瓷的结晶系由第1结晶群与第2结晶群构成; 该第1结晶群系由以钛酸钡为主成分且钙浓度在0.2原子%以下的结晶粒子构成; 该第2结晶群系由钙浓度达0.4原子%以上的结晶粒子构成; 上述构成第1结晶群之结晶粒子之表层部的镁与稀土族元素之各浓度(C1)、与构成第1结晶群之结晶粒子9a之中央部所含镁与稀土族元素之各浓度(C2)的比(C2/C1), 分别大於构成第2结晶群之结晶粒子9b的同浓度比(C4/C3), 且当将上述构成第1结晶群之结晶粒子的面积比例设为a, 将上述构成第2结晶群之结晶粒子的比例设为b时, b/(a+b)比系0.5~0.8。 | ||
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