客服热线:18202992950

晶界扩散钕铁硼磁体的界面调控方法 发明授权

2023-01-30 1230 495K 0

专利信息

申请日期 2025-06-25 申请号 CN201710464873.1
公开(公告)号 CN107275028B 公开(公告)日 2019-02-01
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 钢铁研究总院
简介 一种晶界扩散钕铁硼磁体的界面调控方法,属于稀土永磁材料技术领域。通过进行界面调控处理,改善钕铁硼磁体晶界结构、优化晶界处与扩散进入晶粒内部的稀土的分布,进而在扩散处理后的磁体中获得较高的剩磁。通过界面调控处理,能够调控重稀土Dy、Tb在磁体内部的分布,使重稀土元素Dy、Tb仅分布于主相NdFeB晶粒外表层,最终使磁体由于稀土扩散处理所降低的剩磁恢复至接近扩散前的水平。优点在于,解决了晶界扩散提高矫顽力导致剩磁降低的难题。可以实现兼具高剩磁和超高矫顽力磁体的制备和生产,具有广阔的市场前景,经济效益显著。


您还没有登录,请登录后查看下载地址


反对 0举报 0 收藏 0 打赏 0评论 0
下载排行
网站首页  |  关于我们  |  联系方式  |  使用协议  |  版权隐私  |  网站地图  |  排名推广  |  广告服务  |  积分换礼  |  网站留言  |  RSS订阅  |  违规举报  |  京ICP备2021025988号-4