| 申请日期 | 2026-04-26 | 申请号 | TW094122587 |
| 公开（公告）号 | TWI299727B | 公开（公告）日 | 2008-08-11 |
| 公开国别 | TW | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 村田制作所股份有限公司 | ||
| 简介 | 本发明之构成陶瓷烧结体之介电陶瓷系以通式; {100(Ba1-x-ySrxCay)m(Ti1-zZrz)O3+aBaO+bR2O3+cMgO+dMn; O+eCuO+fV2O5+gXuOv(其中, R表示La、Ce、Pr等特定之; 稀土类元素; XuOv表示至少含有Si之氧化物之群)}表示; 且0≦x≦0.05、0≦y≦0.08(最好为0.02≦y≦0.08)、0≦z≦; 0.05、0.990≦m、100.2≦(100m+a)≦102、0.05≦b≦0.5、; 0.05≦c≦2、0.05≦d≦1.3、0.1≦e≦1.0、0.02≦f≦0.15、; 0.2≦g≦2。藉此, 介电层更加薄层化, 即使施加高电场强; 度之电压, 亦具有良好之介电特性、温度特性, 可获得绝; 缘性或耐电压、高温负载寿命良好且可靠性优异之积层陶; 瓷电容器。 | ||
|
您还没有登录，请登录后查看下载地址
|
客服热线：
手机版
二维码
