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一种新型CrAlTi(Y)N薄膜及其制备方法 发明申请

2023-11-30 2700 433K 0

专利信息

申请日期 2025-06-24 申请号 CN200810050270.8
公开(公告)号 CN101215690A 公开(公告)日 2008-07-09
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 吉林大学
简介 本发明涉及一种新型的CrAlTi(Y)N薄膜及其制备方法。通过采用Al-Y合金靶材,获得了具有生产效率高、优良结合强度的CrAlTi(Y)N薄膜,其含Y合金靶材成分为(按重量份数比):Al-Y合金靶(0<Y≤9.5%,其余为Al),靶材中剩余部分为不可避免的杂质组成;一种新型CrAlTi(Y)N薄膜的制备方法,包括以下步骤:a)进行Al-Y合金靶的配制:采用原料为含Al≥99.9%的纯Al、稀土Y,通过高温熔制备Al-Y合金靶材或粉末冶金制备Al-Y合金靶材,并且使靶材中稀土Y含量满足0<Y≤9.5%;b)采用磁控溅射制备新型CrAlTi(Y)N薄膜。该薄膜提高了其生产效率和结合强度。


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