| 申请日期 | 2025-06-30 | 申请号 | CN200610156527.9 |
| 公开（公告）号 | CN101205629A | 公开（公告）日 | 2008-06-25 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 中国科学技术大学 | ||
| 简介 | 本发明涉及发光材料，具体涉及氮化硅基纳米线及其制备方法。所述的发荧光的氮化硅基纳米线为α－Si3N4相，在纳米线氮化硅基的晶胞空隙中容纳有稀土金属离子，形成金属离子固溶体为发光中心的纳米线，或者在该纳米线的表面覆盖有氮化硼保护层。所述稀土金属离子是Ce，Pr，Nd，Sm，Eu，Gd，Tb，Dy，Ho，Er，Tm，Yb，Lu中的任一种或者两种或者两种以上的元素。本发明的荧光光谱最大发光波长为420－680nm，激发光谱最大激发波长为250－450nm。由于有氮化硼层的保护，不仅荧光淬灭温度高，发光强度高，而且激发源激发时材料劣化及辉度降低小，提高了使用寿命。有望在微电子、光学、照明等领域获得广泛应用。 | ||
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