| 申请日期 | 2025-08-14 | 申请号 | CN200410000726.1 |
| 公开（公告）号 | CN100395857C | 公开（公告）日 | 2008-06-18 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 清华大学 | ||
| 简介 | 一种在玻璃衬底上制备碳纳米管的方法，属于碳纳米管生长技术领域，特别涉及碳纳米管场发射阴极的制备。本发明以玻璃作衬底，先在玻璃衬底上沉积一层II主族金属或稀土金属的氟化物薄膜，再在其上沉积铁、钴、镍、钯或这些材料组成的合金薄膜作为催化剂，然后用常规生长技术在其上生长碳纳米管；或先在玻璃衬底上沉积一层铁、钴、镍、钯或这些材料的合金薄膜作为催化剂，再在其上沉积一层II主族金属或稀土金属的氟化物薄膜，然后在其上生长碳纳米管，所述生长碳纳米管时的衬底温度为400～650℃。本方法成功地解决了在低温条件下碳纳米管生长问题，可以实现在大面积衬底上且大批量生产，由于以玻璃为衬底，可明显降低生产成本。 | ||
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