| 申请日期 | 2025-07-08 | 申请号 | TW096136598 |
| 公开（公告）号 | TW200825204A | 公开（公告）日 | 2008-06-16 |
| 公开国别 | TW | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 东京威力科创股份有限公司 | ||
| 简介 | 本发明提供一种半导体装置, 其包含一基板以及位於该基板上之一氮化高介电常数膜; 并且提供一种形成该氮化高介电常数膜的方法。该氮化高介电常数膜包含一含氧膜与一含氮膜, 该含氮膜至少一部份的厚度被氧化。该含氮膜与该含氧膜包含一个以上从周期表之硷土元素、稀土元素、以及IVB族元素所选择的相同金属元素。该氮化高介电常数膜可选择地更包含铝、矽、或铝与矽。藉由a)沉积一含氮膜以及b)沉积一含氧膜, 而在该基板上形成该氮化高介电常数膜, 其中以任何次序、任何次数执行步骤a)与b), 俾能氧化该含氮膜至少一部份的厚度。依照一实施例, 该方法包含形成一氮化铪基高介电常数膜。 | ||
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