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提高涂层导体用CeO2薄膜厚度的方法 发明申请

2023-05-31 3660 657K 0

专利信息

申请日期 2025-06-24 申请号 CN200710047473.7
公开(公告)号 CN101178955A 公开(公告)日 2008-05-14
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 上海大学
简介 本发明公开了一种通过对CeO2薄膜实施稀土离子掺杂以提高薄膜厚度且成本低廉的技术工艺。相应量的钇、钬、钐和锆等稀土离子的醋酸盐或乙酰丙酮盐经过溶解并加热搅拌掺入到醋酸铈的混合溶液中配成预计比例的掺杂前驱溶液。前驱溶液经烘烤后涂覆到金属衬底上,再进行下一步的热处理即可得到双轴织构且表面平整致密的高温超导涂层导体用CeO2薄膜。


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