| 申请日期 | 2025-08-02 | 申请号 | CN200610114021.1 |
| 公开（公告）号 | CN101170847A | 公开（公告）日 | 2008-04-30 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | ||
| 简介 | 本发明一种硅基稀土掺杂电致发光器件，其中包括：一p－型或n－型硅衬底；一稀土掺杂硅基发光材料，该稀土掺杂硅基发光材料制作在p－型或n－型硅衬底上，该稀土掺杂硅基发光材料是器件的有源区；一纳米尺寸厚度的介质层作为加速层，此加速层制作在稀土掺杂硅基发光材料上；一上电极，该上电极制作在加速层上；另两下电极，该下电极制作在p－型或n－型硅衬底下；在两下电极之间有一个出光口。 | ||
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