| 申请日期 | 2025-07-09 | 申请号 | CN03821675.2 |
| 公开（公告）号 | CN100469203C | 公开（公告）日 | 2009-03-11 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 伊菲雷知识产权公司 | ||
| 简介 | 提供一种新颖的结构，用以改善在ac厚膜电介质电致发光显示 器中使用的基于硫代铝酸盐的磷光体的操作稳定性。该新颖的结构包 括，稀土激活的碱土硫代铝酸盐磷光体薄膜层；和氧氮化硅层，其提 供在直接相邻于该磷光体薄膜层的顶部和/或底部，其中所述氧氮化硅 层包括组分Si3NxOyHz，其中2≤x≤4，0＜y≤2且0≤z≤1。本发明特 别适用于电致发光显示器中使用的磷光体，该电致发光显示器使用了 经历高工艺温度以形成和激活磷光体膜的厚电介质层。 | ||
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