| 申请日期 | 2025-07-14 | 申请号 | CN200810225028.X |
| 公开（公告）号 | CN101372339A | 公开（公告）日 | 2009-02-25 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 北京工业大学 | ||
| 简介 | 一种高纯高致密度多晶CeB6阴极材料的制备方法属于稀土硼化物阴极材料技术领域。现有CeB6的制备工艺复杂，且制备的样品纯度低，致密性差。本发明通过采用直流电弧蒸发冷凝法制备氢化铈纳米粉末，再将氢化铈纳米粉末与硼粉末在低氧环境中研磨混合后，采用放电等离子烧结技术在真空或高纯氩气气氛中烧结，得到多晶CeB6阴极材料。本发明方法工艺简单、烧结温度低，且制备的阴极材料纯度高，致密性好，化学纯度高及发射性能优异。 | ||
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