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一种近红外长余辉纳米晶的制备方法 发明申请

2023-04-12 4970 533K 0

专利信息

申请日期 2026-04-25 申请号 CN201811091014.3
公开(公告)号 CN109266334A 公开(公告)日 2019-01-25
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 湖州师范学院
简介 本发明公开了一种Cr3+掺杂ZnGa2O4近红外长余辉纳米晶的制备方法,所述纳米晶尺寸在5~30纳米。所述纳米晶的制备方法包括以下步骤:(1)将正硅酸乙酯溶于无水乙醇中,正硅酸乙酯和无水乙醇的体积比1∶5~1∶10。加入硝酸,正硅酸乙酯和硝酸的摩尔比10∶1~20∶1,混合均匀。(2)称硝酸锌、硝酸镓、稀土硝酸盐和硝酸铬溶于1~5ml水中,然后加入步骤1所得的溶液;(3)将步骤2所得的溶液继续搅拌0.5~5小时,陈化3~7天,然后在30~80℃干燥5~24小时得到干凝胶。所得干凝胶放入马弗炉,在600~1100℃保温1~6小时,自然冷却到室温,得到玻璃陶瓷。(4)将得到的玻璃陶瓷放入0.5~4mol%NaOH溶液中,放入水热釜中,于60~200℃,保温5~24小时,得到Cr3+掺杂ZnGa2O4纳米晶。


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