| 申请日期 | 2025-06-28 | 申请号 | TW096145837 |
| 公开（公告）号 | TW200905704A | 公开（公告）日 | 2009-02-01 |
| 公开国别 | TW | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 京瓷股份有限公司 | ||
| 简介 | 构成介电层陶瓷的结晶, 系由钙浓度0.2原子%以下的结晶粒子所构成第1结晶群、与由钙浓度0.4原子%以上的结晶粒子所构成第2结晶群构成; 而, 构成第1结晶群之结晶粒子之中央部相对於表层部, 就所含镁、第1稀土族元素的各浓度比, 系较大於构成第2结晶群之结晶粒子的该元素浓度比, 且将介电层陶瓷表面施行研磨时的研磨面, 当将上述第1结晶群之结晶粒子面积设为a, 将上述第2结晶群之结晶粒子面积设为b时, b/(a+b)比将为0.5~0.8。 | ||
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