| 申请日期 | 2025-07-08 | 申请号 | CN200510077057.2 |
| 公开（公告）号 | CN100456516C | 公开（公告）日 | 2009-01-28 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 北京大学 | ||
| 简介 | 本发明公开了顶出光电极及其制备方法。本发明所提供的顶出光电极，包括衬底和位于衬底上的有机发光层，其中，有机发光层上设有稀土元素与Au或Ag的浓度梯度层，所述浓度梯度层中从内层到外层所述稀土元素质量浓度为100％至0％。本发明采用普通的真空蒸镀方法(10-5托)在电极上蒸镀一低功稀土金属与贵金属的浓度梯度层，并结合增透层作为顶出光电极的上电极材料，可以兼顾透光率、稳定性和低成本等要素，方法简单实用，与采用Al/Ag或Al/Au作顶电极的器件相比，本发明电极发光效率提高6-8倍。本发明的顶出光电极可以广泛应用于无机薄膜和半导体发光，以及光电器件和光探测器等方面。 | ||
|
您还没有登录，请登录后查看下载地址
|
客服热线：
手机版
二维码
