| 申请日期 | 2025-06-26 | 申请号 | CN200810110123.5 |
| 公开（公告）号 | CN101339954A | 公开（公告）日 | 2009-01-07 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | ||
| 简介 | 示例实施例涉及一种包含氧化锌(ZnO)的氧化物半导体、一种包括由该氧化物半导体形成的沟道的薄膜晶体管以及一种制造该薄膜晶体管的方法。该氧化物半导体可包括：GaxInyZnz氧化物；至少一种材料，从由4B族元素、4B族氧化物、稀土元素及它们的组合组成的组中选择。 | ||
|
您还没有登录，请登录后查看下载地址
|
客服热线：
手机版
二维码
