| 申请日期 | 2025-08-12 | 申请号 | TW097107392 |
| 公开（公告）号 | TW200901475A | 公开（公告）日 | 2009-01-01 |
| 公开国别 | TW | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 万国商业机器公司 | ||
| 简介 | 本发明提供一种图案化一闸极堆叠的先进方法, 此闸极堆叠包含由高k闸极介电帽盖层所帽盖之高k闸极介电质, 高k闸极介电帽盖层为如含稀土金属(或类稀土)材料层。具体来说, 本发明提供结合湿及乾蚀刻用在图案化此类闸极堆叠的方法, 其实质上降低留在半导体基材之表面上的残留高k闸极介电帽盖材料之含量至小於10^10 atoms/cm^2, 较佳小於约10^9 atoms/cm^2的値。 | ||
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