| 申请日期 | 2025-08-29 | 申请号 | CN200410069892.7 |
| 公开（公告）号 | CN100447310C | 公开（公告）日 | 2008-12-31 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | ||
| 简介 | 一种生产氮化物单晶的方法包括在氮化物晶体(11)的表面上形成含有稀土元素的化合物的材料运输介质层(12)的步骤和和使种晶(13)、和材料运输介质层(12)接触在种晶(13)上生长氮化物单晶(14)的步骤。材料运输介质层(12)包含稀土元素的化合物和选自由铝化合物、碱土化合物和过渡金属化合物组成的组中至少一种化合物。用这个生产方法，得到晶体尺寸至少为10mm的大的氮化物单晶。 | ||
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