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一种发光可调控的铕离子掺杂硅基介孔材料的制备方法 发明申请

2023-10-04 4240 560K 0

专利信息

申请日期 2025-07-14 申请号 CN200810040421.1
公开(公告)号 CN101328404A 公开(公告)日 2008-12-24
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 同济大学
简介 本发明属于稀土发光材料技术领域、具体涉及一种发光可调控的铕离子掺杂硅基介孔材料的制备方法。取模板剂聚氧乙烯-聚氧丙烯-聚氧乙烯三嵌段共聚物、水和HCl溶液,在50-80℃温度下搅拌至形成澄清透明溶液,接着加入硅烷偶联剂3-缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷和Eu(NO3)3·6H2O,在室温下搅拌18-30小时;聚氧乙烯-聚氧丙烯-聚氧乙烯三嵌段共聚物、水和HCl溶液的质量比为1∶(7~8)∶(2~2.5),聚氧乙烯-聚氧丙烯-聚氧乙烯三嵌段共聚物与硅烷偶联剂的质量比为1∶0.0206;将所得的胶状液体在90-110℃条件下晶化24小时至54小时;过滤、洗涤、焙烧,即得得需产物。本方法得到的材料发光性能依据铕离子浓度的不同呈现出差异性。随着铕离子浓度的增加,分别表现出从蓝光到白光到红光的变化。本发明方法的可操作性强,重现性好,且所得产品质量稳定。


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