| 申请日期 | 2025-06-26 | 申请号 | CN200810037417.X |
| 公开（公告）号 | CN101319379A | 公开（公告）日 | 2008-12-10 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 上海交通大学 | ||
| 简介 | 本发明涉及一种45°稀土钡铜氧薄膜籽晶高速生长超导块材的方法，采用面内取向为45°四对称结构的稀土钡铜氧(REBCO)薄膜作籽晶，通过冷籽晶法同质外延生长高温超导REBCO块体材料。该种膜材料在单晶氧化镁基板上过热度可达到20K以上，其独特的面内取向则可以显著提高块材的生长速度。按照REBCO和适量RE211来进行组分配料，研磨煅烧多次后，压制成前驱体片并在其顶部放上相应的长条形REBCO薄膜作籽晶，通过熔融织构方法制备REBCO块体材料。本发明工艺简单，提高了块材的生产效率，能够在无杂质且晶格完全匹配的情况下高速生长出高取向性的具有大单畴结构的高温超导REBCO块体材料。 | ||
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