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大尺寸掺镱硅酸钪激光晶体及其制备方法 发明申请

2023-09-13 2760 403K 0

专利信息

申请日期 2025-08-28 申请号 CN200810039799.X
公开(公告)号 CN101319398A 公开(公告)日 2008-12-10
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 中国科学院上海硅酸盐研究所
简介 本发明涉及一种激光晶体,具体涉及一种大尺寸掺镱硅酸钪激光晶体及其制备方法,属于晶体生长领域。本发明的大尺寸掺镱硅酸钪激光晶体,其化学式为YbxSc1-x)2SiO5,其中0.001≤x≤0.2,属于单斜C2/c空间群结构,稀土阳离子Sc3+占据两个结晶学格位。掺杂离子Yb3+将取代Sc3+所占据的格位,使其吸收和发射峰非均匀加宽,有利于实现宽带可调谐发射。Yb : SSO晶体在1004nm、1036nm和1062nm处具有较高的发射截面(约为2.5-4.5×10-20cm2),可以在上述三个激光波长处产生激光振荡。本发明晶体有较大尺寸、晶体光学质量高,及具有高热导率、宽发射谱带和双格位特点,可以应用于低阈值宽调谐超快激光技术领域中。


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