| 申请日期 | 2025-07-07 | 申请号 | CN200510077056.8 |
| 公开（公告）号 | CN100440567C | 公开（公告）日 | 2008-12-03 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 北京大学 | ||
| 简介 | 本发明公开了一种顶出光电极及其制备方法。本发明所提供的顶出光电极，包括衬底和位于衬底上的有机发光层，其中，有机发光层上设有稀土元素层，在稀土元素层上还设有该稀土元素与Au或Ag的复合层。本发明用低功稀土元素/低功稀土元素：Au或Ag复合层作为顶出光电极的上电极材料，可以兼顾透光率、稳定性和低成本等要素，该电极可以用普通的真空蒸镀方法来完成，制备方法简单；而外层的低功稀土元素：Au或Ag复合层导致的光吸收和光反射都较Ag层小，且不易被氧化，从而较好保证了器件的电稳定性和发光稳定性，同时又有较好的防止水汽透入有机层的作用。本发明的顶出光电极可广泛应用于无机薄膜、半导体发光，光电器件和光探测器等方面。 | ||
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