申请日期 | 2025-07-09 | 申请号 | CN200610002540.9 |
公开(公告)号 | CN100437214C | 公开(公告)日 | 2008-11-26 |
公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
申请人 | TDK株式会社 | ||
简介 | 本发明提供一种便利性优良的光学器件的制造方法,特别是一种稳定地制造高性能光学器件的技术。在获得构成法拉第旋转器的、实质上能呈现矩形磁滞特性的铋置换型稀土铁柘榴石单晶膜之后,在此单晶膜装于光隔离器等光学器件的状态下对单晶膜进行磁化。通过在法拉第旋转器装入光器件之后进行磁化工序,能完全不需要区别单晶膜的内外面,并且能改善光学器件的特性。 |
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